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Beneq TFS 200 原子層沉積研究設(shè)備介紹

發(fā)布日期:2023-05-24  瀏覽次數(shù):

Beneq TFS 200 原子層沉積研究設(shè)備

Beneq TFS 200 是有史以來(lái)為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)的靈活的原子層沉積研究平臺(tái),Beneq TFS 200 專門(mén)設(shè)計(jì)用于很大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。大量的可用選項(xiàng)和升級(jí)意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起成長(zhǎng),以滿足很苛刻的研究要求。

Beneq TFS 200 代表的技術(shù)解決方案可在晶圓、平面物體、多孔散裝材料和具有極高縱橫比 (HAR) 特征的復(fù)雜 3D 物體上沉積優(yōu)質(zhì)涂層。

直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)沉積 (PEALD) 在 Beneq TFS 200 中作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)提供。等離子體是電容耦合(CCP),這是當(dāng)今的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。CCP 等離子體選項(xiàng)提供直接和遠(yuǎn)程等離子增強(qiáng) ALD (PEALD),適用于很大 200mm 的基板,正面朝上或正面朝下。


ALD配套臭氧設(shè)備

臭氧發(fā)生器:Atals H30  

臭氧分解器:F1000

臭氧在線檢測(cè)儀:3S-J5000

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特點(diǎn)

處理周期時(shí)間通常小于 2 秒。在特定情況下甚至不到 1 秒

高縱橫比 (HAR) 可用于具有通孔和多孔基材的結(jié)構(gòu)

用于快速加熱和冷卻的冷壁真空室

真空室中的輔助入口可實(shí)現(xiàn)等離子體、原位診斷等。

負(fù)載鎖定可用于快速更換基板和與其他設(shè)備的集成。



標(biāo)簽:原子層沉積Beneq