高純臭氧發(fā)生器，臭氧濃度高于99.5%

1.超高純臭氧制備

2.臭氧濃度高于99.5%

3重安全保障

液化池容積限制設(shè)計

安全閥設(shè)計

急停設(shè)計

產(chǎn)品特點

● 全金屬密封臭氧液化池

● 無硅膠吸附劑

● 閉循環(huán)制冷機自動控溫

● 提純速度快,準備時間只需30分鐘；提純1小時，能產(chǎn)出約4標升高純臭氧氣體，可滿足大部分用戶十小時以上的生長需求

● 設(shè)計緊湊，尺寸 400*700*1200mm(高）

● 操作簡便，即起即停

● 高純臭氧應用領(lǐng)域：化學氣相沉積（CVD），原子層沉積（ALD），氧化物生長，表面處理，粒子清潔，光刻膠去除，灰化等。

背景技術(shù)：

臭氧是一種功能多樣、極具開發(fā)價值的氣體，在科研、半導體制造、薄膜制備、水處理、空氣凈化、醫(yī)療衛(wèi)生、食品加工等許多領(lǐng)域有著廣泛應用，但由于臭氧氣體容易分解成氧氣，不能長時間貯存；而液態(tài)臭氧存在爆炸風險，不利于存儲和運輸，因此臭氧氣體基本都是現(xiàn)用現(xiàn)制。

不同應用場景對于臭氧濃度的要求不同，某些場景對于臭氧濃度的要求較低，例如：賓館、超市、學校、食品工廠、食品儲倉儲、生鮮食品配送中心和其他低濃度臭氧要求的工業(yè)環(huán)境的空氣殺菌消毒和水處理、殺菌保鮮等方面，臭氧濃度維持在15％以下即可，因而可以采用化學法、電化學法、電暈放電法、紫外輻射法等多種方法制備，技術(shù)已經(jīng)較為成熟也較為簡單；某些場景對于臭氧濃度的要求較高，例如：氧化物薄膜制備(ombe、cvd和ald)、半導體制造領(lǐng)域和研究所高校實驗室場景等，臭氧濃度越高越有益于排除雜質(zhì)對于應用場景的影響，從而更好地實現(xiàn)環(huán)境變量的控制，由于高純度臭氧具有爆炸的危險，因此高純度的臭氧制備技術(shù)需要滿足安全性和穩(wěn)定性，同時也具有高效性和成本造價等方面的要求。

一般高純度臭氧裝置是介于臭氧和氧氣沸點之間的溫度環(huán)境，通過臭氧提純，很終臭氧濃度能達到80～99％，但制備流程時間較長，且純度仍有較大提高空間。

shunsukehosokawa和shingoichimura發(fā)表的reviewofscientificinstruments62,1614(1991)公開了一種液化型臭氧提純方法，該方法利用氧氣和臭氧飽和蒸汽壓在70～95k溫區(qū)相差三四個數(shù)量級的特點，將臭氧氣體液化實現(xiàn)提純，臭氧濃度可以達到70％以上，后經(jīng)改進，臭氧濃度可高于99.5％。但該裝置存在以下三點不足：第一個是該裝置從室溫狀態(tài)到可提純臭氧狀態(tài)，需要約60分鐘，臭氧提純的準備時間很長；第二個是臭氧處理器，需加熱至400℃來分解臭氧，有安全隱患，且需降溫裝置把加熱的氣體重新降至室溫，結(jié)構(gòu)復雜；第三個是進入液化池的過濾裝置的精度仍有提高的空間。

綜上所述，市場中缺乏一種適用于實驗室環(huán)境下，能夠快速實現(xiàn)超高純臭氧制備的設(shè)備。