原子層沉積系統(tǒng)主要技術(shù)指標(biāo)（臭氧）

光電材料與國家重點實驗室擬采購原子層沉積系統(tǒng)一套。主要技術(shù)指標(biāo)：

 1、樣品臺為4英寸雙腔腔體，加熱溫度室溫至500℃可控，控制精度±1℃。 

2、4路液源，2路載氣輔助源。 

3、設(shè)備本底真空小于等于1 Pa，腔體漏率小于等于5×10 -10Pa·m3/s。 

4、5路金屬前驅(qū)體源輸送管路，加熱源3路，載氣輔助源2路，配備載氣管路和質(zhì)量流量控制器。 

5、金屬前驅(qū)體源輸送管路均包裹在加熱套中， 很高加熱溫度250℃。配置溫度傳感器，溫度控制精度滿足±1℃。 

6、每路管路配備ALD專用閥門，帶吹掃功能，響應(yīng)時間小于5ms，耐溫200℃，包定制加熱和保溫裝置， 很高加熱溫度200℃，溫度控制精度±1℃。 

7、每路加熱源輸送管路和載氣輔助源輸送系統(tǒng)，分別配備1個ALD專用閥門、1套加熱源容器以及加熱保溫系統(tǒng)。 很高加熱溫度250℃，溫度控制精度±1℃。 

8、所有氣體管路連接處采用金屬VCR密封；載氣管路采用N2或者Ar氣體，通過質(zhì)量流量控制器控制；配備惰性氣體自清洗系統(tǒng)，可根據(jù)需求設(shè)置自動清洗的次數(shù)。 

9、采用電感耦合等離子體(ICP)發(fā)生器，電極與襯底距離不小于70 mm。 

10、提供 2 路可用于等離子體工藝氣路，包含 ALD 專用隔膜閥和流量控制器。 

11、采用13.56 MHz射頻電源，功率1%-可調(diào)，配備自動匹配器，匹配時間優(yōu)于5秒。 

12、配備臭氧發(fā)生器、臭氧破壞器、控制臭氧的質(zhì)量流量控制器；臭氧發(fā)生器產(chǎn)量 很高可達10 g/h，濃度可達100 g/m3；臭氧發(fā)生器采用風(fēng)冷方式無需配備冷卻水； 

13、真空泵采用雙級油封式真空泵，抽速不低于90 m3/h；真空測量：配備壓力傳感器，檢測范圍：5×10-4~1000 mbar；真空抽氣管道可以烘烤至150℃，且真空泵前級配置熱阱，加熱溫度 很高300℃，控制精度±1℃； 

14、驗收指標(biāo)：廠家須提供氧化鋁薄膜的標(biāo)準(zhǔn)工藝配方按以下內(nèi)容進行現(xiàn)場制備與驗收；薄膜均勻性：在4英寸晶圓上沉積約50nm厚氧化鋁，以晶圓上5個均勻分散點（上、下、左、右、中心5點，每兩點間距不小于15毫米）進行橢偏儀測試膜厚，4英寸晶圓上薄膜均勻性≤±1%。 售后服務(wù)要求：3年質(zhì)保期。對所提供的貨物在質(zhì)保期內(nèi)，因產(chǎn)品質(zhì)量而導(dǎo)致的缺陷，必須免費提供包修、包換、包退服務(wù)。